氮化铝陶瓷半导体

定制复杂的氮化铝陶瓷元件
在电子信息、新能源、航空航天等高端制造领域，材料的性能极限直接决定着产品的核心竞争力。氮化铝（AlN）陶瓷元件以其优异的导热性能、优异的电绝缘性、高强度和耐高温性能以及稳定的化学性能，成为新一代关键结构材料，取代传统的金属和氧化铝陶瓷，为精密装备的小型化、大功率化和长期可靠性提供核心支撑。主要特点顶级热导率：我们的 AlN 组件的热导率高达 170-230 W/m·K - 明显高于氧化铝和塑料 - 可有效散发 LED 和 CPU 等大功率设备的热量，有助于延长产品寿命。优异的电绝缘性：体积电阻率≥10¹⁴ Ω·cm，确保可靠的绝缘性能，使其成为电源逆变器和电机控制系统等高压应用的理想选择。出色的耐用性：我们的组件采用高纯度氮化铝制成，可在-200°C 至 1000°C 的温度下可靠运行，并具有很强的抗热冲击、腐蚀和机械振动能力，适用于苛刻的汽车和航空航天环境。
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