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  • 高导热系列-100μm氮化铝(AlN)填料
    厦门巨磁科技有限公司推出高导热系列100μm多晶 氮化铝(AlN)填料 粉末,一种专为先进热管理复合材料设计的高纯度陶瓷填料。该产品采用尖端合成和分级技术,具有卓越的导热性、优异的化学稳定性和优化的粒度分布。它显著提升了聚合物、粘合剂和陶瓷基体的散热性能,使其成为电子封装、LED散热、5G通信设备和大功率模块应用的理想选择。主要特点:1、超高导热率多晶AlN的理论热导率为170-200W/(m·K),有效解决了电子元件高热流耗散的难题。低热膨胀系数(≈4.6×10⁻⁶/K),匹配半导体材料以最大限度地减少界面应力。2、精确的粒度控制D50≈100μm,颗粒分布均匀,优化填充密度,形成高效的热通道。可定制的表面处理(例如硅烷偶联剂改性)以提高与树脂和金属的相容性。3、高纯度、高可靠性纯度≥99%,氧含量 < 1%,确保对介电性能的影响最小。耐高温(>1800°C)、耐腐蚀,适用于恶劣环境。4、应用广泛导热胶/导热膏:填充后可增加导热性。陶瓷基复合材料:用于高导热绝缘基板或封装材料。热界面材料 (TIM):降低电子组件中的接触热阻。
  • 80μm高导热AlN填料——解决电子产品过热问题
    80μm 氮化铝(AlN)填料由厦门聚瓷科技研发的专为电子封装设计的高性能陶瓷材料, 热界面材料(TIM)及高导热复合材料。该产品具有精确控制的粒径分布(D50≈80μm)、超高纯度(≥99%)和优异的导热系数(170-200 W/(m·K)),可显著提升聚合物、金属或陶瓷基体的热管理效率。非常适合5G通信、新能源汽车、电力电子等领域对散热性能要求严格的应用。主要特点:1、卓越的导热性理论热导率为170–200 W/(m·K),有效解决电子设备的热管理难题。 2、精确的粒度控制平均粒径(D50)为80μm,分布均匀,确保优异的分散性以及与树脂、金属或陶瓷基质的相容性。 3、高纯度、低氧含量纯度≥99%,氧含量≤1%,保证高频、高压应用的化学稳定性和电绝缘性。 4、低介电常数和损耗低介电常数(ε≈8.8)和最小介电损耗(tanδ < 0.001),非常适合高频电路封装。 5、优异的机械性能高硬度和耐磨性增强了复合材料的机械强度。
  • S系列80μm导热AlN粉末——优质导热填料
    S系列80μm AlN导热填料 是一款高性能 热管理材料 专为大功率电子、5G通信、新能源汽车、LED照明及先进芯片散热应用而设计。该产品采用自主研发的颗粒分级技术和表面改性工艺,实现超高导热系数,显著提升散热效率,确保现代电子设备持久稳定的性能。 主要特点: 1、卓越的导热性 采用高纯度陶瓷材料(如氮化铝)制成,优化的80μm颗粒分布,形成致密的导热网络,与传统填料相比提高了导热系数,并有效降低了界面热阻。 2、精确的粒度控制 80μm 的细颗粒具有出色的填充能力,确保与基质材料(例如硅胶、环氧树脂)紧密接触,并最大限度地减少空隙,从而实现快速、均匀的热传递。 3、优越的电气绝缘性 保持高绝缘性能(体积电阻率>10¹⁴ Ω·cm),同时增强热性能,使其成为敏感电子元件的理想选择。 4、化学稳定性强 耐高温、耐腐蚀,适合恶劣的操作环境。 5、优良的兼容性 可轻松融入导热油脂、导热垫、粘合剂和其他复合材料中,以满足不同的应用需求。
  • 用于 TIM、LED 和电子封装的优质 150μm 氮化铝粉末
    厦门钜瓷科技有限公司推出150μm 高纯度氮化铝(AlN)填料 粉末,一种专为高性能导热复合材料设计的功能性陶瓷填料。该产品具有超细粒径(150微米)、高纯度(≥99%)和低氧含量等关键优势,可显著提高聚合物、金属或陶瓷基复合材料的导热性。它广泛应用于电子封装、热界面材料(TIM)、 大功率LED散热等等。 主要特点: 1、卓越的导热性 AlN的理论热导率可达170-200W/(m·K),比传统氧化铝填料高出5倍以上,可大幅提高复合材料的整体热效率。 2、精确的粒度分布 D50:150μm,粒径均匀,表面光滑,分散性优良,保证在基质中形成高效的导热网络。 3、高纯度、低氧含量 纯度≥99%,氧含量≤1%,最大限度减少了杂质对介电性能和热导率的影响,是高频电子设备的理想选择。 4、优异的电气绝缘性 体积电阻率>10¹⁴Ω·cm,介电常数低(~8.8),适用于对绝缘要求高的电子封装。 5、化学稳定性强 耐高温(在高达1400°C的空气中稳定)、耐腐蚀,与环氧树脂、硅胶和其他基质材料具有优异的相容性。
  • 120 μm AlN 填料-高纯度散热材料
    厦门钜瓷科技的120μm 氮化铝(AlN)填料 粉末是一种高纯度、高导热陶瓷粉末材料,专门用于高性能导热复合材料、电子封装、 热界面材料(TIM)以及高导热塑料/橡胶。其粒径分布均匀(D50≈120μm),化学稳定性优异,在保持优异的电绝缘性和机械强度的同时,显著提高基体材料的导热系数。 主要特点: 1、超高导热率 理论热导率达170-200W/(m·K),有效提高复合材料的散热效率。 2、精确的粒度控制 中位粒径(D50)为120μm,分布均匀,易于分散,与树脂/聚合物基质具有良好的相容性。 3、高纯度、低氧含量 纯度≥99%,氧含量≤1%,最大限度减少杂质对介电性能和热导率的影响。 4、优异的绝缘性能 体积电阻率>10¹⁴Ω·cm,适用于要求高绝缘的电子用途。 5、化学稳定性 耐高温、耐腐蚀,在高温或潮湿环境下保持性能稳定。 6、表面改性 可以根据要求用硅烷偶联剂或其他表面改性剂进行处理,以增强与基质的界面结合。
  • 高导热氮化铝(AlN)填料(50μm)——优质导热填料
    50微米 氮化铝(AlN)陶瓷微球 区域 高性能热填料 旨在增强复合材料的热管理性能。AlN 微球具有优异的导热性(约 170-200 W/mK)和卓越的电绝缘性,是电子封装、导热胶、导热塑料和大功率 LED 散热的理想选择。 主要特点: 高导热性:有效提高复合材料的传热效率,非常适合关键冷却应用。 均匀的粒径:50μm微球确保均匀分散,优化机械和热性能。 电绝缘:高电阻率使其适合电子领域的绝缘要求。 耐高温和抗氧化:在高温环境下具有出色的稳定性。 重量轻:低密度可降低产品整体重量。
  • 30μm球形氮化铝(AlN)粉末 - 170W/mK导热电子级填料
    30微米氮化铝(AlN)陶瓷微球是一种高性能无机非金属材料,具有优异的导热性、电绝缘性、耐高温性和化学稳定性,其微米级球形结构在先进电子封装、复合材料增强体、热界面材料等领域具有广阔的应用前景。 30μm氮化铝(AlN)陶瓷微球的主要特点: 高热导率——AlN 微球的热导率为 170-200 W/(m·K),可显著增强热界面材料(TIM)的散热以及电子包装。 出色的电绝缘性——超高电阻率(>10¹⁴ Ω·cm)使这些 AlN填料 非常适合高压应用、PCB 基板和绝缘涂层。 耐高温——2200°C 的熔点确保在极端环境下的稳定性,适用于航空航天、电力电子和 LED 散热器。 低 CTE(4.5×10⁻⁶/°C)——匹配半导体材料(Si、GaN、SiC),降低芯片封装和功率模块中的热应力。 高纯度和化学稳定性——耐腐蚀、防酸碱,非常适合恶劣的工业应用和化学环境。 均匀的球形结构——窄粒度分布(D50≈30μm)确保聚合物、复合材料和 3D 打印材料中的卓越流动性和均匀分散。
  • 15μm单晶氮化铝(AlN)粉末 - 高导热绝缘填料
    氮化铝(AlN)导热填料 是一种高性能陶瓷材料,因其卓越的性能,广泛应用于热管理应用。以下是其功能作用的详细分析: 1. 散热(主要功能) 高导热系数(~170-200 W/mK)——有效地将电子元件(例如 CPU、电源模块、LED)热点处的热量转移出去,使 AlN 粉末成为 高导热填料. 降低热阻——改善复合材料的热流(例如, 热界面材料(TIM)、环氧树脂),增强电子冷却解决方案的性能。 2.电气绝缘 介电强度 (>15 kV/mm) – 防止导热时发生电气短路,这对于高压应用(例如电力电子设备、电动汽车电池)至关重要。 3.热膨胀匹配 CTE(热膨胀系数)~4.5 ppm/K – 与硅和半导体紧密匹配,最大限度地减少键合界面(例如芯片封装)中的应力,使 AlN单晶填料成为半导体热管理的首选。 通过加入超纯 AlN 填料或纳米级 AlN 粉末,制造商可以优化导热性,同时保持电绝缘性,使其成为先进的热管理陶瓷材料的首选.
  • 10um 单晶 AlN 填料 CAS 24304-00-5 近球形
    氮化铝导热填料 可以添加到树脂或塑料中以提高其导热性。它也可以用作 导热胶中的填料、导热硅脂等材料,将其加入到聚合物基体中,提高了复合材料的导热性能,广泛应用于电子产品、LED照明、电源等领域。
  • 氮化铝(ALN)唱片晶体填充2UM
    氮化铝热导电粉 具有极高的导热率,可以有效地传递热量。通过添加 氮化铝填充剂 对于复合材料,可以显着提高复合材料的热导率,从而增强其热量耗散能力。例如,在电子包装材料中,氮化铝热导电粉可提高包装的导热率,有效地散发热量并防止电子设备由于温度升高而导致性能降解,从而确保电子产品的可靠性和稳定性。
  • 氮化铝 (AlN) 单晶滤波器 1um
    厦门聚磁科技制造 氮化铝填料 具有多种粒径,最小粒径为1微米。这 1um单晶AlN填料 初晶细小、球形度高、流速快、热阻低,非常适合与较大颗粒共混,提高热界面材料的导热系数。
  • 氮化铝 (AlN) 单晶滤波器 5um
    这 5μm 氮化铝 (AlN) 单晶填料 是一种高品质、先进的材料,专为需要卓越导热性、电绝缘性和机械强度的应用而设计。该粉末的粒径仅为 5μm,具有出色的分散性,非常适合用于复合材料,从而增强电子设备和半导体封装的热管理性能。 AlN 粉末的单晶结构可确保高纯度、可靠性和在苛刻环境下的卓越性能。广泛应用于电子、LED技术、散热解决方案等行业。
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