氮化铝（AlN）坩埚由于其独特的材料性能，在高温及特殊环境中具有广泛的应用价值。
为半导体、晶体生长和高温实验提供极其稳定的解决方案
主要特点
①耐极端温度（高达 2200°C）——在惰性气体中稳定，性能远超传统陶瓷坩埚
②优异的热导率（170 W/m·K）——确保均匀加热，最大限度地减少热应力，提高晶体生长质量
③零碳污染——不含石墨，防止金属熔炼或半导体加工过程中的杂质掺杂
④优异的耐腐蚀性——耐熔融金属（Al/Cu/Ga）和腐蚀性盐
货号 :
Aluminum Nitride (ALN) Crucible尺寸 :
Customization产品产地 :
CHINA颜色 :
Gray-white氮化铝坩埚在众多行业和领域中广受欢迎。
常见应用
半导体行业：GaAs/GaN单晶生长、电子封装材料
材料科学：熔化高熔点金属（W/Mo）、合成氮化物/碳化物
储能：锂电池正极高温烧结、固态电解质研究
工业用途：精密陶瓷烧结、光学玻璃加工
数据表
| 特性 | 条件 | 单位 | AN-180 |
| 密度 | -- |
克/厘米3 |
3.32 |
| 热导率 | 25℃ |
W/米·开尔文 |
180 |
| 弯曲强度 | 三点法，25℃ |
兆帕 |
410 |
| 绝缘 | 25℃ |
千伏/毫米 |
31 |
| 体积电阻率 | 25℃ |
Ω·cm |
3.4×1014 |
| 介电常数 | 1兆赫 |
— — |
8.8 |
| 介电损耗 | 1兆赫 |
— — |
6.5×10-4 |
| 热膨胀系数 (CTE) | 25~400℃ |
×10-6/K |
4.6 |
我们的优势
厦门钜瓷科技拥有厂房面积30000平方米，生产车间配备30台单机烧结炉，以及8台先进的连续烧结炉，氮化铝粉末产能可达1000吨/年。检测中心约800平方米，配备扫描电子显微镜、粒度仪、氮氧分析仪、粉体综合测试仪、热导仪等专业粉体及陶瓷检测设备100余台（套）。公司拥有1200平方米的研发中心，配备40余台（套）研发专用设备，拥有30余人的研发团队，不断推动产品优化与创新，使公司在激烈的市场竞争中保持竞争优势。
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