随着微电子技术的飞速发展，要求器件朝着大容量、高密度、高速度、大功率输出的方向发展，越来越复杂的器件对基片和封装材料的散热提出了越来越高的要求。传统的树脂基板和氧化铝陶瓷基板，最高热导率均仅为30w/(m·k)左右，远不能满足当今器件的散热要求。此外，普通氮化铝（aln）陶瓷的抗弯强度一般小于400mpa，限制了氮化铝（aln）陶瓷的工业应用。而热压氮化铝陶瓷同时具备高热导率和高抗弯强度性能，具有重要的应用前景。
氮化铝陶瓷具有导热性能优良、与硅相接近的热膨胀系数、较好的绝缘性能、适中的介电常数和介电损耗、室温和高温力学性能良好且无毒等优良特点，其作为集成电路和大功率器件的基板材料和电子封装材料具有广阔的应用前景。
热压ALN陶瓷的特点 ：
1.高强度氮化铝陶瓷
2.导热系数高
3.纯度高
4.可提供大尺寸
5.黑色氮化铝陶瓷
数据表
| 材料性能 | 条件 | 单位 | AN-100H |
| 密度 | -- |
g/cm3 |
3.25 |
| 热导率 | 25℃ |
W/m·K |
100 |
| 弯曲强度 | 三点抗弯，25℃ |
MPa |
450 |
| 绝缘强度 | 25℃ |
KV/mm |
18.8 |
| 体积电阻率 | 25℃ |
Ω·cm |
3.6×1014 |
| 介电常数 |
1MHz |
— — |
8.8 |
| 介质损耗 | 1MHz |
— — |
2.7×10-4 |
| 热膨胀系数 | 25~400℃ |
×10-6/K |
4.8 |
应用 ：
我们的优势
厦门钜瓷公司厂房面积3万平方米，生产车间配备单机烧结炉30台，以及先进的连续烧结炉8台，氮化铝粉末生产能力可达1000吨/年。检测中心约800平方米，配备扫描电子显微镜、粒度仪、氮氧分析仪、粉体综合测试仪、导热系数仪等专业粉体及陶瓷检测设备100余台套。公司拥有面积1200平方米的研发中心，配备研发专用设备40余台套，30余人的研发团队不断推动产品优化和创新，促使公司在激烈的市场竞争中保持竞争优势。
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