高强度氮化铝陶瓷

热压黑色氮化铝（ALN）陶瓷
随着微电子技术的飞速发展，要求器件朝着大容量、高密度、高速度、大功率输出的方向发展，越来越复杂的器件对基片和封装材料的散热提出了越来越高的要求。传统的树脂基板和氧化铝陶瓷基板，最高热导率均仅为30w/(m·k)左右，远不能满足当今器件的散热要求。此外，普通氮化铝（aln）陶瓷的抗弯强度一般小于400mpa，限制了氮化铝（aln）陶瓷的工业应用。而热压氮化铝陶瓷同时具备高热导率和高抗弯强度性能，具有重要的应用前景。氮化铝陶瓷具有导热性能优良、与硅相接近的热膨胀系数、较好的绝缘性能、适中的介电常数和介电损耗、室温和高温力学性能良好且无毒等优良特点，其作为集成电路和大功率器件的基板材料和电子封装材料具有广阔的应用前景。
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