氮化铝陶瓷基板

在快速发展的电子行业中，散热和可靠性是产品性能的关键决定因素。 氮化铝（AlN）陶瓷基板AlN陶瓷基板凭借其优异的导热性能、优异的电绝缘性能和稳定的机械特性，正成为大功率、高频电子设备的理想选择。无论是在5G通信、新能源汽车、航空航天、工业激光器还是半导体照明领域，AlN陶瓷基板都能提供无与伦比的解决方案，助您的产品在竞争中脱颖而出。 主要特点优越的导热性能：氮化铝的导热系数高达170-220W/(m·K)，远超氧化铝陶瓷，高效散热，确保大功率电子元器件稳定运行。 优良的电绝缘性：高电阻率和低介电损耗使其适用于高频电路，减少信号传输损耗并提高设备性能。 优异的热膨胀匹配性：其热膨胀系数与硅、砷化镓等半导体材料相似，有效降低热应力，延长器件寿命。 机械强度和稳定性：高强度、高硬度和耐化学腐蚀性能确保即使在恶劣环境下也能保证可靠性和耐用性。 精密加工能力：支持激光切割、钻孔、金属化等工艺，满足复杂电路设计要求，实现高集成度封装。