氮化铝陶瓷基板

穿孔氮化铝（AlN）陶瓷基板是一种特殊的电子封装材料，它以高性能AlN陶瓷为基材，通过精密加工形成通孔或盲孔。该基板采用氮化铝陶瓷为基材，并结合精密钻孔技术实现定制化的孔位定位，完美平衡了散热性能、绝缘强度和安装兼容性，使其成为解决大功率电子模块散热难题的关键核心材料。 特征： 定制化孔位设计：适应各种安装需求 与标准非穿孔基板不同，穿孔 AlN 陶瓷基板可根据客户的电路布局和元件安装方法提供高精度定制孔定位服务。 支持的孔类型：圆形、方形和特殊形状的孔（如槽孔、阶梯孔）。

在快速发展的电子行业中，散热和可靠性是产品性能的关键决定因素。 氮化铝（AlN）陶瓷基板凭借其优异的导热性能、优异的电绝缘性能和稳定的机械特性，正成为大功率、高频电子设备的理想选择。无论是在5G通信、新能源汽车、航空航天、工业激光器还是半导体照明领域，AlN陶瓷基板都能提供无与伦比的解决方案，助您的产品在竞争中脱颖而出。   主要特点 优越的导热性能：氮化铝的导热系数高达170-220W/(m·K)，远超氧化铝陶瓷，高效散热，确保大功率电子元器件稳定运行。 优良的电绝缘性：高电阻率和低介电损耗使其适用于高频电路，减少信号传输损耗并提高设备性能。 优异的热膨胀匹配性：其热膨胀系数与硅、砷化镓等半导体材料相似，有效降低热应力，延长器件寿命。 机械强度和稳定性：高强度、高硬度和耐化学腐蚀性能确保即使在恶劣环境下也能保证可靠性和耐用性。 精密加工能力：支持激光切割、钻孔、金属化等工艺，满足复杂电路设计要求，实现高集成度封装。