氮化铝陶瓷

On the path towards higher speeds, greater density, and lower power consumption in optical modules, heat dissipation stands as one of the most critical bottlenecks. Aluminum nitride ceramic, with its exceptional thermal conductivity and outstanding overall performance, has become the "ace material" for addressing thermal management challenges in high-end optical modules. It is primarily used for the direct mounting and heat dissipation of core heat-generating components such as laser diodes and driver ICs, serving as the key cornerstone for ensuring the performance stability and reliability of 800G, 1.6T, and future higher-speed optical modules.   Feature: 1、Highest thermal conductivity among ceramic material 2、Excellent mechanical properties,similar to Al2O3 ceramics 3、High electrical insulation,above 15KV/mm 4、Low thermal expansion coefficient,matching with Si 5、non-toxic 6、Heat shock resistance  7、Plasma resistance  

穿孔氮化铝（AlN）陶瓷基板是一种特殊的电子封装材料，它以高性能AlN陶瓷为基材，通过精密加工形成通孔或盲孔。该基板采用氮化铝陶瓷为基材，并结合精密钻孔技术实现定制化的孔位定位，完美平衡了散热性能、绝缘强度和安装兼容性，使其成为解决大功率电子模块散热难题的关键核心材料。 特征： 定制化孔位设计：适应各种安装需求 与标准非穿孔基板不同，穿孔 AlN 陶瓷基板可根据客户的电路布局和元件安装方法提供高精度定制孔定位服务。 支持的孔类型：圆形、方形和特殊形状的孔（如槽孔、阶梯孔）。

在电子信息、新能源、航空航天等高端制造领域，材料的性能极限直接决定着产品的核心竞争力。 氮化铝（AlN）陶瓷元件以其优异的导热性能、优异的电绝缘性、高强度和耐高温性能以及稳定的化学性能，成为新一代关键结构材料，取代传统的金属和氧化铝陶瓷，为精密装备的小型化、大功率化和长期可靠性提供核心支撑。   主要特点 顶级热导率：我们的 AlN 组件的热导率高达 170-230 W/m·K - 明显高于氧化铝和塑料 - 可有效散发 LED 和 CPU 等大功率设备的热量，有助于延长产品寿命。   优异的电绝缘性：体积电阻率≥10¹⁴ Ω·cm，确保可靠的绝缘性能，使其成为电源逆变器和电机控制系统等高压应用的理想选择。   出色的耐用性：我们的组件采用高纯度氮化铝制成，可在-200°C 至 1000°C 的温度下可靠运行，并具有很强的抗热冲击、腐蚀和机械振动能力，适用于苛刻的汽车和航空航天环境。

需要用于电子、汽车或航空航天的高导热性氮化铝 (AlN) 圆片吗？我们定制的氮化铝圆片可满足散热和绝缘需求，是 LED、半导体和电动汽车组件的理想选择。 主要特点顶级热导率：高达 210 W/m·K（优于氧化铝/塑料），快速冷却大功率部件（LED、CPU），延长设备寿命。​强电绝缘：电阻≥10¹⁴ Ω·cm，适用于高压应用（电源逆变器、控制系统）。​极高的耐用性：高纯度 AlN，温度范围为 -200°C 至 1000°C，耐腐蚀/振动（汽车/航空航天用途）。​精密尺寸：CNC加工（直径公差±0.1mm，厚度±0.05mm）

氮化铝（AlN）陶瓷棒 是一种先进的工业材料，以其卓越的导热性和绝缘性能而闻名，使其成为大功率电子设备热管理的理想解决方案。   主要特点 高导热性：导热系数高达170-210 W/mK，可实现快速传热和有效冷却 绝缘性能优良：耐高压、高频，确保电路安全 良好的热匹配：热膨胀系数与硅相似，降低热应力 高机械强度：耐磨、耐腐蚀，适用于苛刻的环境

在快速发展的电子行业中，散热和可靠性是产品性能的关键决定因素。 氮化铝（AlN）陶瓷基板凭借其优异的导热性能、优异的电绝缘性能和稳定的机械特性，正成为大功率、高频电子设备的理想选择。无论是在5G通信、新能源汽车、航空航天、工业激光器还是半导体照明领域，AlN陶瓷基板都能提供无与伦比的解决方案，助您的产品在竞争中脱颖而出。   主要特点 优越的导热性能：氮化铝的导热系数高达170-220W/(m·K)，远超氧化铝陶瓷，高效散热，确保大功率电子元器件稳定运行。 优良的电绝缘性：高电阻率和低介电损耗使其适用于高频电路，减少信号传输损耗并提高设备性能。 优异的热膨胀匹配性：其热膨胀系数与硅、砷化镓等半导体材料相似，有效降低热应力，延长器件寿命。 机械强度和稳定性：高强度、高硬度和耐化学腐蚀性能确保即使在恶劣环境下也能保证可靠性和耐用性。 精密加工能力：支持激光切割、钻孔、金属化等工艺，满足复杂电路设计要求，实现高集成度封装。

我们的氮化铝 (AlN) 注塑定制陶瓷零件结合了先进的注塑技术与高纯度 AlN陶瓷 材料。该产品专为复杂、不规则形状而设计，打破了传统陶瓷加工的局限性，能够精确制造公差严格、几何形状复杂的部件，非常适合同时要求性能和设计灵活性的行业。 主要特点 优异的导热系数：导热系数≥170 W/(m·K)，比氧化铝陶瓷高5-10倍，确保大功率电子设备高效散热。​ 优异的电绝缘性：体积电阻率≥10¹⁴ Ω·cm，在传递热量的同时保护敏感电路。​ 可定制形状：注塑成型支持一步生产复杂结构（例如，凹槽，孔，曲面），无需二次加工，与传统机械加工相比可降低 30％ 的成本。​ 高机械强度：抗弯强度≥300 MPa，确保在恶劣环境下的耐用性（温度范围：-200℃至800℃）。​ 低热膨胀：热膨胀系数（CTE）与硅匹配（≈4.5×10⁻⁶/℃），最大限度地减少电子组件中的热应力。  

在高温应用领域，对材料性能的要求越来越严格。我们的迷你 氮化铝陶瓷坩埚凭借其卓越的性能，成为众多行业的理想选择。 1、超高导热系数：迷你氮化铝陶瓷坩埚拥有超高导热系数，确保高效传热。无论是有色金属冶炼，还是半导体材料合成，都能快速均匀地散热，大幅提高工艺效率，降低能耗，支持可持续的工业运营。 2、优异的热稳定性：可承受极端高温。作为高温耐火坩埚，在其他材料无法胜任的恶劣环境下，仍能稳定运行，确保长期可靠的性能，减少停机时间，提高生产效率。 3、优异的耐化学性：具有优异的耐腐蚀性能，不与铜、铝、银等有色金属发生反应，也能抵抗铝、铁及铝合金的溶解。在半导体应用中，其对砷化镓等熔盐的稳定性尤为重要，可防止硅污染，确保高纯度半导体材料的生产。  

氮化铝陶瓷零件 拥有卓越的导热性、电绝缘性和机械强度，是高科技行业的理想之选。无论您需要用于电子、半导体、LED 还是航空航天应用的可靠组件，我们精密设计的 AlN 陶瓷零件都能提供卓越的性能。 主要特点和优点： 优异的导热性（170-210 W/mK）——高效散热，适用于大功率设备。 高电绝缘性——非常适合电子基板和绝缘体。 卓越的机械强度——耐磨损、耐腐蚀、耐热冲击。 低热膨胀——确保极端温度环境下的稳定性。 可定制的设计——精密加工以满足您的确切规格。

寻找高品质 氮化铝陶瓷管? 我们的产品凭借卓越的性能在市场上脱颖而出，成为各种工业应用的理想选择。​ 主要优势 卓越的导热性：这些管的导热率为 170-210 W/(m·K)，散热性能出色，非常适合大功率电子设备。​ 优异的电绝缘性：室温下体积电阻率 >10¹⁴ Ω·cm，确保在高压环境下安全运行。​ 高强度和耐腐蚀性：抗弯强度为300-400 MPa，耐高温（超过1000℃）和耐化学腐蚀，适用于恶劣的工作条件。​

氮化铝（AlN）陶瓷方片 是由精密工程陶瓷材料 高纯AlN粉末 采用先进的烧结技术制成的。氮化铝陶瓷以其卓越的导热性、电绝缘性和热机械性能而闻名，广泛应用于大功率电子器件、LED封装、半导体器件、射频/微波元件等，是现代电子领域的关键材料   核心功能和优势 超高导热率（180-220 W/m·K）——比氧化铝高 5-10 倍，散热效果更佳 优异的电气绝缘性（10¹⁴ Ω·cm）——非常适合高压应用 电力电子（IGBT、电源模块）和光电子（LED、激光二极管）的可靠性得到验证 电动汽车电力系统和轨道转换器的关键解决方案，需要热管理和电气隔离  

氮化铝（AlN）陶瓷环 是由高纯度氮化铝粉末经精密成型和高温烧结工艺制成的高性能特种陶瓷元件。具有优异的导热性、电绝缘性、耐高温性和低热膨胀系数， 氮化铝陶瓷 环广泛应用于半导体设备、大功率LED、射频/微波器件等领域，是现代工业中不可或缺的关键材料。   核心功能和优势 1、卓越的导热性 热导率高达170-220 W/(m·K)，接近铝，远超氧化铝陶瓷（~30 W/(m·K)），确保大功率设备高效散热。 2、优异的电气绝缘性 体积电阻率>10¹⁴Ω·cm，介电常数低（8-9），适用于高频高压环境，保证电路安全稳定运行。 3、高温稳定性 可承受高达 2200°C 的高温，在极端热循环条件下保持结构稳定性，并表现出优异的抗热冲击性。 4、低热膨胀系数 热膨胀系数（4.5×10⁻⁶/℃–4.9×10⁻⁶/℃）与硅（Si）芯片相匹配，降低热应力并延长器件寿命。 5、化学惰性和机械强度 耐酸碱腐蚀，耐氧化；硬度高（莫氏8-9），耐磨，耐冲击。