在半导体制造中,硅片的散热至关重要。如果硅片表面温度不能保持均匀,就会影响晶圆制造过程中的加工均匀性和精度。

使用 氮化铝 主要材料包括:通过控制其体积电阻率,可以实现宽广的温度范围和足够的吸附力。静电吸盘 (ESC键) 采用氮化铝材质,通过高度灵活的加热器设计,可实现优异的温度均匀性。 氮化铝 成分(氮化铝 成分) 采用整体共烧工艺制造,消除了电极退化引起的老化效应,最大限度地提高了产品质量。它们可在等离子体卤素真空环境下持久稳定运行,能够承受半导体和微电子制造中最严苛的加工环境,同时提供稳定的吸附力和精确的温度控制。
现在, 厦门巨磁 采用碳热还原法生产 氮化铝粉其中厦门工厂年产能为 700 吨,内蒙古工厂年产能为 1200 吨。
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