氧化钇“扼杀”为高端氮化铝开启历史性机遇

人工智能计算能力链中最被低估的环节不是GPU或光模块，而是高端硬件。 氮化铝（AlN）陶瓷隐藏在它们下面。氮化铝的热导率为 170–230 W/(m·K)，因此对于光模块、HBM 存储器和晶圆蚀刻设备中使用的静电吸盘 (ESC) 的散热至关重要。

氧化钇 (Y₂O₃) 并非氮化铝 (AlN) 的组成成分，而是烧结过程中必须添加的“关键”成分。其典型添加量为 0.5% 至 5%（主流配方约为 3%）。由于 AlN 粉末表面极易氧化，形成一层严重阻碍导热的氧化铝硬壳，因此在 1600°C 以上的温度下，Y₂O₃ 会与这层硬壳发生反应，生成晶界相，例如 YAG。通过液相烧结，Y₂O₃ 可将 AlN 的相对密度提高到 99.2% 以上，同时捕获晶界氧，从而保持其高导热性。如果没有这 3% 至 5% 的氧化钇，烧结产物将变成导热性极差的陶瓷。

中国在全球稀土冶炼和分离能力方面占据主导地位（约占70%–90%），氧化钇的供应严重依赖中国出口。近年来，随着出口管制收紧，海外氧化钇价格飙升。一些海外高端陶瓷生产线面临氧化钇库存仅够维持10–15天的情况，迫使其削减25%–30%的高端氮化铝衬底/高温高压陶瓷产能，交货周期也从通常的8–12周延长至20–24周以上。这种供应中断直接为国内市场创造了一个难得的验证窗口。 氮化铝粉末生产商为了确保供应链稳定，下游一级客户正在加快国内设备的认证进程。 氮化铝材料以前所未有的速度，将验证周期从 18 个月以上压缩到 10 个月以内。

在此背景下，国内 高品质氮化铝产品正迅速从粉末应用扩展到器件级应用。目前，高端氮化铝粉末的局部化率仅为4%–10%，但高端氮化铝粉末的局部化率正在迅速提高。 氮化铝陶瓷基板预计到2024年，全球本土化率将低于15%，到2026年将达到约28%–30%，而中低端市场的本土化率已超过50%。其中， 氮化铝陶瓷基板已在800G/1.6T高端光模块中得到广泛应用，成为满足散热需求的主流解决方案。同时， 用于静电吸盘 (ESC) 绝缘层的氮化铝已进入高端半导体蚀刻设备的加速验证阶段。

对于厦门JUCI而言，我们目前700吨的氮化铝粉末年产能——预计年底将提升至1200吨——精准把握了从粉末到陶瓷元件的全产业链替代需求浪潮。在全球供应链重组的背景下，我们致力于为下游客户提供“不间断供应、卓越品质、可定制化”的氮化铝整体解决方案。凭借稳定的产能，我们将与行业伙伴携手，共同把握计算时代的历史性机遇。

厦门聚滋专业生产高纯度氮化铝粉末、氮化铝颗粒、导热填料和氮化铝陶瓷——这些产品赢得了全球客户的一致认可和好评。如有任何需求，请随时与我们联系。

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