氮化铝基板：800G/1.6T 模块的核心散热基底

随着人工智能计算集群带宽需求的爆炸式增长，光模块正从400G快速迭代到800G和1.6T。模块功耗已从8-15W跃升至25-45W以上，光芯片和DSP的热通量密度也急剧上升——因此， 氮化铝光模块基板 已从“可选升级”转变为高功率设计中的关键散热载体。

 在量产的 800G 和预生产的 1.6T 项目中， 用于 800G 光收发器的 AlN 陶瓷基板已被批量采用作为激光器、驱动器和DSP的安装支架。商用氮化铝衬底可提供170–230 W/m·K的导热系数（是氧化铝衬底20–30 W/m·K的5–8倍），能够快速散发结热，防止波长漂移和寿命衰减。下一代 用于 1.6T 光模块的 AlN 衬底随着热通量进一步增加，氮化铝的高导热性和高绝缘性组合几乎是不可替代的。

在芯片层面， 用于硅光子学的氮化铝激光二极管基板利用约 4.2–4.8 ppm/K 的热膨胀系数（接近 InP，优于氧化铝与 GaAs/Si 的热膨胀系数不匹配），可降低热循环造成的焊料疲劳。在大规模数据中心部署中， 高导热性氮化铝衬底 数据中心正在成为硅光子引擎和 CPO 架构的标准。

 选型阶段常涉及 氮化铝与氧化铝光模块权衡利弊：氧化铝的成本约为氮化铝的三分之一到五分之一（具体价格取决于规格和体积），并且在总模块功率为 <20 瓦或局部热点通量为 <50 W/cm²。但一旦功率和通量超过该阈值，AlN 在导热性、绝缘性、热膨胀系数匹配和生产成熟度方面都是最佳选择——而且随着功率等级的提高，其渗透率也迅速上升。

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