氮化铝（ALN）圆盘 φ300*1mm

AlN ——— 理想的衬底材料

AlN晶体是GaN、AlGaN以及AlN外延材料的理想衬底.与蓝宝石或SiC衬底相比,AlN与GaN热匹配和化学兼容性更高、衬底与外延层之间的应力更小.因此,AlN晶体作为GaN外延衬底时可大幅度降低器件中的缺陷密度,提高器件的性能,在制备高温、高频、高功率电子器件方面有很好的应用前景.另外,用AlN晶体做高铝组份的AlGaN外延材料衬底还可以有效降低氮化物外延层中的缺陷密度,极大地提高氮化物半导体器件的性能和使用寿命.基于AlGaN的高质量日盲探测器已经获得成功应用.氮化铝可应用于结构陶瓷的烧结,制备出来的氮化铝陶瓷,不仅机械性能好,抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷,硬度高,还耐高温耐腐蚀.利用AlN陶瓷耐热耐侵蚀性,可用于制作坩埚、Al蒸发皿等高温耐蚀部件.此外,纯净的AlN陶瓷为无色透明晶体,具有优异的光学性能,可以用作透明陶瓷制造电子光学器件装备的高温红外窗口和整流罩的耐热涂层.

                                                                                        数据表

我们的优势

厦门钜瓷公司厂房面积3万平方米，生产车间配备单机烧结炉30台，以及先进的连续烧结炉8台，氮化铝粉末生产能力可达1000吨/年。检测中心约800平方米，配备扫描电子显微镜、粒度仪、氮氧分析仪、粉体综合测试仪、导热系数仪等专业粉体及陶瓷检测设备100余台套。公司拥有面积1200平方米的研发中心，配备研发专用设备40余台套，30余人的研发团队不断推动产品优化和创新，促使公司在激烈的市场竞争中保持竞争优势。

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