氮化铝HTCC基板的特性及应用

氮化铝（AlN）陶瓷 AlN基多层共烧基板具有优异的物理性能，包括高热导率、低介电常数、高强度、高硬度、无毒以及与硅相似的热膨胀系数。此外，它们还具有出色的化学稳定性和耐腐蚀性。AlN基多层共烧基板用作介电隔离材料，是高功率模块和大规模集成电路散热和封装的理想选择。

一、AlN共烧基板的制备工艺

生产过程 AlN高温共烧陶瓷 （HTCC）多层基板涉及混合 氮化铝粉末 与烧结助剂和添加剂混合形成陶瓷浆料。然后，通过流延成型工艺，将浆料成型为生坯陶瓷片。在这些生坯片上，通过钻孔、填充和金属浆料印刷等工艺，制作预先设计的电路。之后，将陶瓷片层压并进行高温烧结，从而生产出高导热、致密的陶瓷基板。

自从 高热导率AlN陶瓷 由于烧结温度通常高于1600°C，传统的贵金属导体（例如钯银或金）不适合与氮化铝共烧。因此，人们通常使用高熔点金属（例如钨（W，熔点3400°C）和钼（Mo，熔点2623°C））作为共烧导体。然而，钨和钼浆料的可焊性较差，因此需要在表面镀镍、钯和金，以增强后续组装的可焊性。

高温共烧是制造过程中的关键步骤 AlN多层陶瓷基板，显著影响其平整度、导体粘附性和薄层电阻。

二、AlN共烧基板的应用领域

AlN多层陶瓷基板融合了传统多层陶瓷基板的三维集成优势和优异的散热性能，在提高封装密度、匹配半导体材料热膨胀系数的同时，实现了快速散热，在高密度、大功率多芯片模块（MCM）、LED封装、光通信封装、MEMS封装等领域有着广阔的应用前景。

多芯片模块 (MCM)

大规模集成电路的发展对芯片间互连提出了更高的要求。高密度封装技术已成为高端电子系统的主流。多芯片模块（MCM）代表了一种先进的微电子封装形式，它将裸芯片和微型元件集成到高密度布线基板上，形成功能模块甚至子系统。MCM还促进了电子系统的小型化和高密度集成，是系统集成的关键途径。高密度多层基板技术是实现MCM高密度封装的关键。

微机电系统

MEMS系统集成了传感器、执行器和控制/驱动电路，融合了微电子技术和微机械技术。在MEMS系统中，这些组件紧密互连且相互影响。电路会产生大量热量，而机械组件则脆弱易损。确保组件之间可靠的信号传输和有效保护至关重要，这对MEMS封装技术提出了更高的要求。

关于厦门钜瓷科技

钜瓷科技采用高纯度原材料、先进的复合添加剂和精密烧结工艺，实现高性能氮化铝陶瓷基板的稳定量产。凭借灵​​活的定制化能力和严苛的质量管控，我们满足大功率LED、IGBT模块、5G射频器件以及航空航天等应用领域的严苛要求，成为国内领先的超高导热氮化铝解决方案供应商。

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