横幅
150μm aluminum nitride filler
aluminum nitride filler
High Thermal Conductivity Powder

用于 TIM、LED 和电子封装的优质 150μm 氮化铝粉末

厦门钜瓷科技有限公司推出150μm 高纯度氮化铝(AlN)填料 粉末,一种专为高性能导热复合材料设计的功能性陶瓷填料。该产品具有超细粒径(150微米)、高纯度(≥99%)和低氧含量等关键优势,可显著提高聚合物、金属或陶瓷基复合材料的导热性。它广泛应用于电子封装、热界面材料(TIM)、 大功率LED散热等等。

主要特点:

1、卓越的导热性

AlN的理论热导率可达170-200W/(m·K),比传统氧化铝填料高出5倍以上,可大幅提高复合材料的整体热效率。

2、精确的粒度分布

D50:150μm,粒径均匀,表面光滑,分散性优良,保证在基质中形成高效的导热网络。

3、高纯度、低氧含量

纯度≥99%,氧含量≤1%,最大限度减少了杂质对介电性能和热导率的影响,是高频电子设备的理想选择。

4、优异的电气绝缘性

体积电阻率>10¹⁴Ω·cm,介电常数低(~8.8),适用于对绝缘要求高的电子封装。

5、化学稳定性强

耐高温(在高达1400°C的空气中稳定)、耐腐蚀,与环氧树脂、硅胶和其他基质材料具有优异的相容性。

  • 货号 :

    F-150
  • 尺寸 :

    150μm
  • 订单(最小起订量) :

    1KG
  • 产品产地 :

    CHINA
  • 颜色 :

    Gray-white

150μm AlN filler

 

物品 F-150
D50(微米) 150
D90(微米) 195
颗粒形状 球形
比表面积(m2/g) 3.31
松装密度(g/cm3) 1.8
振实密度(g/cm3) 2.0
 
备注:以上数值为典型值。

应用 :

电子封装:热增强 集成电路基板用AlN填料 以及陶瓷电路板(例如DPC、HTCC)。

热界面材料 (TIM): 导热脂中的 AlN 填料 和焊盘,减少芯片和散热器之间的热接触阻。

大功率器件冷却:LED芯片、5G射频模块、IGBT模块散热。

特种陶瓷:用于高导热性 AlN陶瓷基板 或复合材料。

Thermal interface materials

 

 

 

 

 

包裹

10-20公斤/桶

氮化铝填料采用铝箔袋包装,袋内充入氮气,再装入铁桶内。

aluminum nitride packagealuminum nitride package

 

厦门钜瓷科技有限公司的优势

作为一家领先的 氮化铝(AlN)制造商我们提供卓越的陶瓷解决方案:

1、 高性能粉末

纯度≥99%,氧含量≤1%

2、可控粒径(D50≈120μm)

优异的导热性(170-200 W/m·K)

3、定制解决方案

针对电子和能源应用的定制配方

可用的表面改性选项

4、可靠生产

严格的ISO 9001质量控制

全球供应稳定,品质始终如一

5、技术专长

持续研发先进热管理技术

特定应用的技术支持

我们将精密制造与创新材料科学相结合,为您的热解决方案提供动力。

 

公司和实验室

juci company

 

联系方式:
厦门钜瓷科技有限公司

电话: +86 592 7080230
电子邮件: miki_huang@chinajuci.com
网站: www.jucialnglobal.com

留言
如果您对我们的产品感兴趣并想了解更多详情,请在此留言,我们会尽快回复您。
提交

相关产品

aluminum nitride filler
氮化铝 (AlN) 导热填料粉 CAS 24304-00-5
作为导热填料粉,氮化铝陶瓷微球 具有 高导热率 和电绝缘性能,在树脂或塑料中添加氮化铝填料粉可以显着提高材料的热导率。 AlN陶瓷微球的特点:1、球形/近球形2、高填充量3、高流动性4、窄粒度分布5、高热导率6、高绝缘性
aluminum nitride filler 5um
氮化铝 (AlN) 单晶滤波器 5um
这 5μm 氮化铝 (AlN) 单晶填料 是一种高品质、先进的材料,专为需要卓越导热性、电绝缘性和机械强度的应用而设计。该粉末的粒径仅为 5μm,具有出色的分散性,非常适合用于复合材料,从而增强电子设备和半导体封装的热管理性能。 AlN 粉末的单晶结构可确保高纯度、可靠性和在苛刻环境下的卓越性能。广泛应用于电子、LED技术、散热解决方案等行业。
aluminum nitride filler 1um
氮化铝 (AlN) 单晶滤波器 1um
厦门聚磁科技制造 氮化铝填料 具有多种粒径,最小粒径为1微米。这 1um单晶AlN填料 初晶细小、球形度高、流速快、热阻低,非常适合与较大颗粒共混,提高热界面材料的导热系数。
aluminum nitride filler 2um
氮化铝(ALN)唱片晶体填充2UM
氮化铝热导电粉 具有极高的导热率,可以有效地传递热量。通过添加 氮化铝填充剂 对于复合材料,可以显着提高复合材料的热导率,从而增强其热量耗散能力。例如,在电子包装材料中,氮化铝热导电粉可提高包装的导热率,有效地散发热量并防止电子设备由于温度升高而导致性能降解,从而确保电子产品的可靠性和稳定性。
aluminum nitride filler 10um
10um 单晶 AlN 填料 CAS 24304-00-5 近球形
氮化铝导热填料 可以添加到树脂或塑料中以提高其导热性。它也可以用作 导热胶中的填料、导热硅脂等材料,将其加入到聚合物基体中,提高了复合材料的导热性能,广泛应用于电子产品、LED照明、电源等领域。
15μm Aluminum nitride filler
15μm单晶氮化铝(AlN)粉末 - 高导热绝缘填料
氮化铝(AlN)导热填料 是一种高性能陶瓷材料,因其卓越的性能,广泛应用于热管理应用。以下是其功能作用的详细分析: 1. 散热(主要功能) 高导热系数(~170-200 W/mK)——有效地将电子元件(例如 CPU、电源模块、LED)热点处的热量转移出去,使 AlN 粉末成为 高导热填料. 降低热阻——改善复合材料的热流(例如, 热界面材料(TIM)、环氧树脂),增强电子冷却解决方案的性能。 2.电气绝缘 介电强度 (>15 kV/mm) – 防止导热时发生电气短路,这对于高压应用(例如电力电子设备、电动汽车电池)至关重要。 3.热膨胀匹配 CTE(热膨胀系数)~4.5 ppm/K – 与硅和半导体紧密匹配,最大限度地减少键合界面(例如芯片封装)中的应力,使 AlN单晶填料成为半导体热管理的首选。 通过加入超纯 AlN 填料或纳米级 AlN 粉末,制造商可以优化导热性,同时保持电绝缘性,使其成为先进的热管理陶瓷材料的首选.
30μm Aluminum nitride ceramic microsphere
30μm球形氮化铝(AlN)粉末 - 170W/mK导热电子级填料
30微米氮化铝(AlN)陶瓷微球是一种高性能无机非金属材料,具有优异的导热性、电绝缘性、耐高温性和化学稳定性,其微米级球形结构在先进电子封装、复合材料增强体、热界面材料等领域具有广阔的应用前景。 30μm氮化铝(AlN)陶瓷微球的主要特点: 高热导率——AlN 微球的热导率为 170-200 W/(m·K),可显著增强热界面材料(TIM)的散热以及电子包装。 出色的电绝缘性——超高电阻率(>10¹⁴ Ω·cm)使这些 AlN填料 非常适合高压应用、PCB 基板和绝缘涂层。 耐高温——2200°C 的熔点确保在极端环境下的稳定性,适用于航空航天、电力电子和 LED 散热器。 低 CTE(4.5×10⁻⁶/°C)——匹配半导体材料(Si、GaN、SiC),降低芯片封装和功率模块中的热应力。 高纯度和化学稳定性——耐腐蚀、防酸碱,非常适合恶劣的工业应用和化学环境。 均匀的球形结构——窄粒度分布(D50≈30μm)确保聚合物、复合材料和 3D 打印材料中的卓越流动性和均匀分散。
50μm Aluminum nitride ceramic microsphere
高导热氮化铝(AlN)填料(50μm)——优质导热填料
50微米 氮化铝(AlN)陶瓷微球 区域 高性能热填料 旨在增强复合材料的热管理性能。AlN 微球具有优异的导热性(约 170-200 W/mK)和卓越的电绝缘性,是电子封装、导热胶、导热塑料和大功率 LED 散热的理想选择。 主要特点: 高导热性:有效提高复合材料的传热效率,非常适合关键冷却应用。 均匀的粒径:50μm微球确保均匀分散,优化机械和热性能。 电绝缘:高电阻率使其适合电子领域的绝缘要求。 耐高温和抗氧化:在高温环境下具有出色的稳定性。 重量轻:低密度可降低产品整体重量。

需要帮助吗?与我们聊天

留言
如果您对我们的产品感兴趣并想了解更多详情,请在此留言,我们会尽快回复您。
提交
寻找 接触
联系我们 #
+8618250812806

我们的时间

11 月 21 日星期一 - 11 月 23 日星期三:上午 9 点 - 晚上 8 点
11 月 24 日星期四:关闭 - 感恩节快乐!
周五 11 月 25 日:上午 8 点 - 晚上 10 点
周六 11 月 26 日 - 周日 11 月 27 日:上午 10 点 - 晚上 9 点
(所有时间均为东部时间)

首页

产品

WhatsApp

接触