AlN粉末制造商

厦门钜瓷科技有限公司推出150μm 高纯度氮化铝（AlN）填料 粉末，一种专为高性能导热复合材料设计的功能性陶瓷填料。该产品具有超细粒径（150微米）、高纯度（≥99%）和低氧含量等关键优势，可显著提高聚合物、金属或陶瓷基复合材料的导热性。它广泛应用于电子封装、热界面材料（TIM）、 大功率LED散热等等。 主要特点： 1、卓越的导热性 AlN的理论热导率可达170-200W/(m·K)，比传统氧化铝填料高出5倍以上，可大幅提高复合材料的整体热效率。 2、精确的粒度分布 D50：150μm，粒径均匀，表面光滑，分散性优良，保证在基质中形成高效的导热网络。 3、高纯度、低氧含量 纯度≥99%，氧含量≤1%，最大限度减少了杂质对介电性能和热导率的影响，是高频电子设备的理想选择。 4、优异的电气绝缘性 体积电阻率>10¹⁴Ω·cm，介电常数低（~8.8），适用于对绝缘要求高的电子封装。 5、化学稳定性强 耐高温（在高达1400°C的空气中稳定）、耐腐蚀，与环氧树脂、硅胶和其他基质材料具有优异的相容性。

30微米氮化铝（AlN）陶瓷微球是一种高性能无机非金属材料，具有优异的导热性、电绝缘性、耐高温性和化学稳定性，其微米级球形结构在先进电子封装、复合材料增强体、热界面材料等领域具有广阔的应用前景。 30μm氮化铝（AlN）陶瓷微球的主要特点： 高热导率——AlN 微球的热导率为 170-200 W/(m·K)，可显著增强热界面材料（TIM）的散热以及电子包装。 出色的电绝缘性——超高电阻率（>10¹⁴ Ω·cm）使这些 AlN填料 非常适合高压应用、PCB 基板和绝缘涂层。 耐高温——2200°C 的熔点确保在极端环境下的稳定性，适用于航空航天、电力电子和 LED 散热器。 低 CTE（4.5×10⁻⁶/°C）——匹配半导体材料（Si、GaN、SiC），降低芯片封装和功率模块中的热应力。 高纯度和化学稳定性——耐腐蚀、防酸碱，非常适合恶劣的工业应用和化学环境。 均匀的球形结构——窄粒度分布（D50≈30μm）确保聚合物、复合材料和 3D 打印材料中的卓越流动性和均匀分散。