AlN填料

厦门巨磁科技有限公司推出高导热系列100μm多晶 氮化铝（AlN）填料 粉末，一种专为先进热管理复合材料设计的高纯度陶瓷填料。该产品采用尖端合成和分级技术，具有卓越的导热性、优异的化学稳定性和优化的粒度分布。它显著提升了聚合物、粘合剂和陶瓷基体的散热性能，使其成为电子封装、LED散热、5G通信设备和大功率模块应用的理想选择。 主要特点： 1、超高导热率 多晶AlN的理论热导率为170-200W/(m·K)，有效解决了电子元件高热流耗散的难题。 低热膨胀系数（≈4.6×10⁻⁶/K），匹配半导体材料以最大限度地减少界面应力。 2、精确的粒度控制 D50≈100μm，颗粒分布均匀，优化填充密度，形成高效的热通道。 可定制的表面处理（例如硅烷偶联剂改性）以提高与树脂和金属的相容性。 3、高纯度、高可靠性 纯度≥99%，氧含量 < 1%，确保对介电性能的影响最小。 耐高温（>1800°C）、耐腐蚀，适用于恶劣环境。 4、应用广泛 导热胶/导热膏：填充后可增加导热性。 陶瓷基复合材料：用于高导热绝缘基板或封装材料。 热界面材料 (TIM)：降低电子组件中的接触热阻。

80μm 氮化铝（AlN）填料由厦门聚瓷科技研发的专为电子封装设计的高性能陶瓷材料， 热界面材料（TIM）及高导热复合材料。该产品具有精确控制的粒径分布（D50≈80μm）、超高纯度（≥99%）和优异的导热系数（170-200 W/(m·K)），可显著提升聚合物、金属或陶瓷基体的热管理效率。非常适合5G通信、新能源汽车、电力电子等领域对散热性能要求严格的应用。 主要特点： 1、卓越的导热性 理论热导率为170–200 W/(m·K)，有效解决电子设备的热管理难题。 2、精确的粒度控制 平均粒径（D50）为80μm，分布均匀，确保优异的分散性以及与树脂、金属或陶瓷基质的相容性。 3、高纯度、低氧含量 纯度≥99%，氧含量≤1%，保证高频、高压应用的化学稳定性和电绝缘性。 4、低介电常数和损耗 低介电常数（ε≈8.8）和最小介电损耗（tanδ < 0.001)，非常适合高频电路封装。 5、优异的机械性能 高硬度和耐磨性增强了复合材料的机械强度。

厦门钜瓷科技有限公司推出150μm 高纯度氮化铝（AlN）填料 粉末，一种专为高性能导热复合材料设计的功能性陶瓷填料。该产品具有超细粒径（150微米）、高纯度（≥99%）和低氧含量等关键优势，可显著提高聚合物、金属或陶瓷基复合材料的导热性。它广泛应用于电子封装、热界面材料（TIM）、 大功率LED散热等等。 主要特点： 1、卓越的导热性 AlN的理论热导率可达170-200W/(m·K)，比传统氧化铝填料高出5倍以上，可大幅提高复合材料的整体热效率。 2、精确的粒度分布 D50：150μm，粒径均匀，表面光滑，分散性优良，保证在基质中形成高效的导热网络。 3、高纯度、低氧含量 纯度≥99%，氧含量≤1%，最大限度减少了杂质对介电性能和热导率的影响，是高频电子设备的理想选择。 4、优异的电气绝缘性 体积电阻率>10¹⁴Ω·cm，介电常数低（~8.8），适用于对绝缘要求高的电子封装。 5、化学稳定性强 耐高温（在高达1400°C的空气中稳定）、耐腐蚀，与环氧树脂、硅胶和其他基质材料具有优异的相容性。

30微米氮化铝（AlN）陶瓷微球是一种高性能无机非金属材料，具有优异的导热性、电绝缘性、耐高温性和化学稳定性，其微米级球形结构在先进电子封装、复合材料增强体、热界面材料等领域具有广阔的应用前景。 30μm氮化铝（AlN）陶瓷微球的主要特点： 高热导率——AlN 微球的热导率为 170-200 W/(m·K)，可显著增强热界面材料（TIM）的散热以及电子包装。 出色的电绝缘性——超高电阻率（>10¹⁴ Ω·cm）使这些 AlN填料 非常适合高压应用、PCB 基板和绝缘涂层。 耐高温——2200°C 的熔点确保在极端环境下的稳定性，适用于航空航天、电力电子和 LED 散热器。 低 CTE（4.5×10⁻⁶/°C）——匹配半导体材料（Si、GaN、SiC），降低芯片封装和功率模块中的热应力。 高纯度和化学稳定性——耐腐蚀、防酸碱，非常适合恶劣的工业应用和化学环境。 均匀的球形结构——窄粒度分布（D50≈30μm）确保聚合物、复合材料和 3D 打印材料中的卓越流动性和均匀分散。

氮化铝导热填料 可以添加到树脂或塑料中以提高其导热性。它也可以用作 导热胶中的填料、导热硅脂等材料，将其加入到聚合物基体中，提高了复合材料的导热性能，广泛应用于电子产品、LED照明、电源等领域。

氮化铝热导电粉 具有极高的导热率，可以有效地传递热量。通过添加 氮化铝填充剂 对于复合材料，可以显着提高复合材料的热导率，从而增强其热量耗散能力。例如，在电子包装材料中，氮化铝热导电粉可提高包装的导热率，有效地散发热量并防止电子设备由于温度升高而导致性能降解，从而确保电子产品的可靠性和稳定性。

厦门聚磁科技制造 氮化铝填料 具有多种粒径，最小粒径为1微米。这 1um单晶AlN填料 初晶细小、球形度高、流速快、热阻低，非常适合与较大颗粒共混，提高热界面材料的导热系数。

这 5μm 氮化铝 (AlN) 单晶填料 是一种高品质、先进的材料，专为需要卓越导热性、电绝缘性和机械强度的应用而设计。该粉末的粒径仅为 5μm，具有出色的分散性，非常适合用于复合材料，从而增强电子设备和半导体封装的热管理性能。 AlN 粉末的单晶结构可确保高纯度、可靠性和在苛刻环境下的卓越性能。广泛应用于电子、LED技术、散热解决方案等行业。