热界面材料（TIM）

30微米氮化铝（AlN）陶瓷微球是一种高性能无机非金属材料，具有优异的导热性、电绝缘性、耐高温性和化学稳定性，其微米级球形结构在先进电子封装、复合材料增强体、热界面材料等领域具有广阔的应用前景。 30μm氮化铝（AlN）陶瓷微球的主要特点： 高热导率——AlN 微球的热导率为 170-200 W/(m·K)，可显著增强热界面材料（TIM）的散热以及电子包装。 出色的电绝缘性——超高电阻率（>10¹⁴ Ω·cm）使这些 AlN填料 非常适合高压应用、PCB 基板和绝缘涂层。 耐高温——2200°C 的熔点确保在极端环境下的稳定性，适用于航空航天、电力电子和 LED 散热器。 低 CTE（4.5×10⁻⁶/°C）——匹配半导体材料（Si、GaN、SiC），降低芯片封装和功率模块中的热应力。 高纯度和化学稳定性——耐腐蚀、防酸碱，非常适合恶劣的工业应用和化学环境。 均匀的球形结构——窄粒度分布（D50≈30μm）确保聚合物、复合材料和 3D 打印材料中的卓越流动性和均匀分散。

氮化铝（AlN）导热填料 是一种高性能陶瓷材料，因其卓越的性能，广泛应用于热管理应用。以下是其功能作用的详细分析： 1. 散热（主要功能） 高导热系数（~170-200 W/mK）——有效地将电子元件（例如 CPU、电源模块、LED）热点处的热量转移出去，使 AlN 粉末成为 高导热填料. 降低热阻——改善复合材料的热流（例如， 热界面材料（TIM）、环氧树脂），增强电子冷却解决方案的性能。 2.电气绝缘 介电强度 (>15 kV/mm) – 防止导热时发生电气短路，这对于高压应用（例如电力电子设备、电动汽车电池）至关重要。 3.热膨胀匹配 CTE（热膨胀系数）~4.5 ppm/K – 与硅和半导体紧密匹配，最大限度地减少键合界面（例如芯片封装）中的应力，使 AlN单晶填料成为半导体热管理的首选。 通过加入超纯 AlN 填料或纳米级 AlN 粉末，制造商可以优化导热性，同时保持电绝缘性，使其成为先进的热管理陶瓷材料的首选.