热界面材料（TIM）

80μm 氮化铝（AlN）填料由厦门聚瓷科技研发的专为电子封装设计的高性能陶瓷材料， 热界面材料（TIM）及高导热复合材料。该产品具有精确控制的粒径分布（D50≈80μm）、超高纯度（≥99%）和优异的导热系数（170-200 W/(m·K)），可显著提升聚合物、金属或陶瓷基体的热管理效率。非常适合5G通信、新能源汽车、电力电子等领域对散热性能要求严格的应用。 主要特点： 1、卓越的导热性 理论热导率为170–200 W/(m·K)，有效解决电子设备的热管理难题。 2、精确的粒度控制 平均粒径（D50）为80μm，分布均匀，确保优异的分散性以及与树脂、金属或陶瓷基质的相容性。 3、高纯度、低氧含量 纯度≥99%，氧含量≤1%，保证高频、高压应用的化学稳定性和电绝缘性。 4、低介电常数和损耗 低介电常数（ε≈8.8）和最小介电损耗（tanδ < 0.001)，非常适合高频电路封装。 5、优异的机械性能 高硬度和耐磨性增强了复合材料的机械强度。

厦门钜瓷科技的120μm 氮化铝（AlN）填料 粉末是一种高纯度、高导热陶瓷粉末材料，专门用于高性能导热复合材料、电子封装、 热界面材料（TIM）以及高导热塑料/橡胶。其粒径分布均匀（D50≈120μm），化学稳定性优异，在保持优异的电绝缘性和机械强度的同时，显著提高基体材料的导热系数。 主要特点： 1、超高导热率 理论热导率达170-200W/(m·K)，有效提高复合材料的散热效率。 2、精确的粒度控制 中位粒径（D50）为120μm，分布均匀，易于分散，与树脂/聚合物基质具有良好的相容性。 3、高纯度、低氧含量 纯度≥99%，氧含量≤1%，最大限度减少杂质对介电性能和热导率的影响。 4、优异的绝缘性能 体积电阻率>10¹⁴Ω·cm，适用于要求高绝缘的电子用途。 5、化学稳定性 耐高温、耐腐蚀，在高温或潮湿环境下保持性能稳定。 6、表面改性 可以根据要求用硅烷偶联剂或其他表面改性剂进行处理，以增强与基质的界面结合。

30微米氮化铝（AlN）陶瓷微球是一种高性能无机非金属材料，具有优异的导热性、电绝缘性、耐高温性和化学稳定性，其微米级球形结构在先进电子封装、复合材料增强体、热界面材料等领域具有广阔的应用前景。 30μm氮化铝（AlN）陶瓷微球的主要特点： 高热导率——AlN 微球的热导率为 170-200 W/(m·K)，可显著增强热界面材料（TIM）的散热以及电子包装。 出色的电绝缘性——超高电阻率（>10¹⁴ Ω·cm）使这些 AlN填料 非常适合高压应用、PCB 基板和绝缘涂层。 耐高温——2200°C 的熔点确保在极端环境下的稳定性，适用于航空航天、电力电子和 LED 散热器。 低 CTE（4.5×10⁻⁶/°C）——匹配半导体材料（Si、GaN、SiC），降低芯片封装和功率模块中的热应力。 高纯度和化学稳定性——耐腐蚀、防酸碱，非常适合恶劣的工业应用和化学环境。 均匀的球形结构——窄粒度分布（D50≈30μm）确保聚合物、复合材料和 3D 打印材料中的卓越流动性和均匀分散。

氮化铝（AlN）导热填料 是一种高性能陶瓷材料，因其卓越的性能，广泛应用于热管理应用。以下是其功能作用的详细分析： 1. 散热（主要功能） 高导热系数（~170-200 W/mK）——有效地将电子元件（例如 CPU、电源模块、LED）热点处的热量转移出去，使 AlN 粉末成为 高导热填料. 降低热阻——改善复合材料的热流（例如， 热界面材料（TIM）、环氧树脂），增强电子冷却解决方案的性能。 2.电气绝缘 介电强度 (>15 kV/mm) – 防止导热时发生电气短路，这对于高压应用（例如电力电子设备、电动汽车电池）至关重要。 3.热膨胀匹配 CTE（热膨胀系数）~4.5 ppm/K – 与硅和半导体紧密匹配，最大限度地减少键合界面（例如芯片封装）中的应力，使 AlN单晶填料成为半导体热管理的首选。 通过加入超纯 AlN 填料或纳米级 AlN 粉末，制造商可以优化导热性，同时保持电绝缘性，使其成为先进的热管理陶瓷材料的首选.