氮化铝由于其优异的导热性能,该材料可替代传统的氧化铝和氧化铍,使其成为大规模集成电路基板材料的理想选择。此外,它还非常适用于高密度封装应用,例如超大规模集成电路(VLSI)元件、微波真空管封装外壳和混合功率开关封装等。
随着电子设备向更高性能和更高集成度发展,氮化铝被视为下一代电子封装材料的关键候选材料。预计在基板和高密度封装领域,氮化铝将逐步取代氧化铝和氧化铍,从而推动电子技术的持续进步。

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