aluminum nitride powder

在电子信息、新能源、航空航天等高端制造领域，材料的性能极限直接决定着产品的核心竞争力。 氮化铝（AlN）陶瓷元件以其优异的导热性能、优异的电绝缘性、高强度和耐高温性能以及稳定的化学性能，成为新一代关键结构材料，取代传统的金属和氧化铝陶瓷，为精密装备的小型化、大功率化和长期可靠性提供核心支撑。   主要特点 顶级热导率：我们的 AlN 组件的热导率高达 170-230 W/m·K - 明显高于氧化铝和塑料 - 可有效散发 LED 和 CPU 等大功率设备的热量，有助于延长产品寿命。   优异的电绝缘性：体积电阻率≥10¹⁴ Ω·cm，确保可靠的绝缘性能，使其成为电源逆变器和电机控制系统等高压应用的理想选择。   出色的耐用性：我们的组件采用高纯度氮化铝制成，可在-200°C 至 1000°C 的温度下可靠运行，并具有很强的抗热冲击、腐蚀和机械振动能力，适用于苛刻的汽车和航空航天环境。

氮化铝（AlN）陶瓷环 是由高纯度氮化铝粉末经精密成型和高温烧结工艺制成的高性能特种陶瓷元件。具有优异的导热性、电绝缘性、耐高温性和低热膨胀系数， 氮化铝陶瓷 环广泛应用于半导体设备、大功率LED、射频/微波器件等领域，是现代工业中不可或缺的关键材料。   核心功能和优势 1、卓越的导热性 热导率高达170-220 W/(m·K)，接近铝，远超氧化铝陶瓷（~30 W/(m·K)），确保大功率设备高效散热。 2、优异的电气绝缘性 体积电阻率>10¹⁴Ω·cm，介电常数低（8-9），适用于高频高压环境，保证电路安全稳定运行。 3、高温稳定性 可承受高达 2200°C 的高温，在极端热循环条件下保持结构稳定性，并表现出优异的抗热冲击性。 4、低热膨胀系数 热膨胀系数（4.5×10⁻⁶/℃–4.9×10⁻⁶/℃）与硅（Si）芯片相匹配，降低热应力并延长器件寿命。 5、化学惰性和机械强度 耐酸碱腐蚀，耐氧化；硬度高（莫氏8-9），耐磨，耐冲击。

厦门钜瓷科技有限公司推出150μm 高纯度氮化铝（AlN）填料 粉末，一种专为高性能导热复合材料设计的功能性陶瓷填料。该产品具有超细粒径（150微米）、高纯度（≥99%）和低氧含量等关键优势，可显著提高聚合物、金属或陶瓷基复合材料的导热性。它广泛应用于电子封装、热界面材料（TIM）、 大功率LED散热等等。 主要特点： 1、卓越的导热性 AlN的理论热导率可达170-200W/(m·K)，比传统氧化铝填料高出5倍以上，可大幅提高复合材料的整体热效率。 2、精确的粒度分布 D50：150μm，粒径均匀，表面光滑，分散性优良，保证在基质中形成高效的导热网络。 3、高纯度、低氧含量 纯度≥99%，氧含量≤1%，最大限度减少了杂质对介电性能和热导率的影响，是高频电子设备的理想选择。 4、优异的电气绝缘性 体积电阻率>10¹⁴Ω·cm，介电常数低（~8.8），适用于对绝缘要求高的电子封装。 5、化学稳定性强 耐高温（在高达1400°C的空气中稳定）、耐腐蚀，与环氧树脂、硅胶和其他基质材料具有优异的相容性。

30微米氮化铝（AlN）陶瓷微球是一种高性能无机非金属材料，具有优异的导热性、电绝缘性、耐高温性和化学稳定性，其微米级球形结构在先进电子封装、复合材料增强体、热界面材料等领域具有广阔的应用前景。 30μm氮化铝（AlN）陶瓷微球的主要特点： 高热导率——AlN 微球的热导率为 170-200 W/(m·K)，可显著增强热界面材料（TIM）的散热以及电子包装。 出色的电绝缘性——超高电阻率（>10¹⁴ Ω·cm）使这些 AlN填料 非常适合高压应用、PCB 基板和绝缘涂层。 耐高温——2200°C 的熔点确保在极端环境下的稳定性，适用于航空航天、电力电子和 LED 散热器。 低 CTE（4.5×10⁻⁶/°C）——匹配半导体材料（Si、GaN、SiC），降低芯片封装和功率模块中的热应力。 高纯度和化学稳定性——耐腐蚀、防酸碱，非常适合恶劣的工业应用和化学环境。 均匀的球形结构——窄粒度分布（D50≈30μm）确保聚合物、复合材料和 3D 打印材料中的卓越流动性和均匀分散。

氮化铝（AlN）导热填料 是一种高性能陶瓷材料，因其卓越的性能，广泛应用于热管理应用。以下是其功能作用的详细分析： 1. 散热（主要功能） 高导热系数（~170-200 W/mK）——有效地将电子元件（例如 CPU、电源模块、LED）热点处的热量转移出去，使 AlN 粉末成为 高导热填料. 降低热阻——改善复合材料的热流（例如， 热界面材料（TIM）、环氧树脂），增强电子冷却解决方案的性能。 2.电气绝缘 介电强度 (>15 kV/mm) – 防止导热时发生电气短路，这对于高压应用（例如电力电子设备、电动汽车电池）至关重要。 3.热膨胀匹配 CTE（热膨胀系数）~4.5 ppm/K – 与硅和半导体紧密匹配，最大限度地减少键合界面（例如芯片封装）中的应力，使 AlN单晶填料成为半导体热管理的首选。 通过加入超纯 AlN 填料或纳米级 AlN 粉末，制造商可以优化导热性，同时保持电绝缘性，使其成为先进的热管理陶瓷材料的首选.

氮化铝导热填料 可以添加到树脂或塑料中以提高其导热性。它也可以用作 导热胶中的填料、导热硅脂等材料，将其加入到聚合物基体中，提高了复合材料的导热性能，广泛应用于电子产品、LED照明、电源等领域。

刻蚀喷嘴是氮化铝在半导体中的应用之一, 刻蚀喷嘴 是半导体制造中用于去除晶圆表面不需要的材料的组件。氮化铝陶瓷刻蚀喷嘴具有高耐磨、耐腐蚀、高精度的特点，能够在高温、高压、高腐蚀环境下长期稳定工作，提高刻蚀效果和喷嘴使用寿命。 与其他厂家的机加工方式不同，我们采用注射成形工艺生产氮化铝刻蚀喷嘴，具有以下优点： 1.可以制作复杂的形状2.产量大3.性能优良4.成本低

氮化铝陶瓷作为一种高性能陶瓷材料，具有优异的导热性、电绝缘性和机械强度，广泛应用于电子、航天、化工等领域。在氮化铝陶瓷的制备过程中，成型技术是关键环节之一，影响着陶瓷材料的性能和质量。目前，流延成型、注射成型和压制成型是氮化铝陶瓷制备中常用的成型方法。   陶瓷注射成型（CIM）是一种用于制造复杂形状陶瓷零件的新兴技术。它以高分子材料为载体，将陶瓷粉体与高分子材料混合，然后通过注射成型的方法制备出形状复杂的陶瓷毛坯。在氮化铝陶瓷的制备中，陶瓷注射成型技术具有独特的优势。首先，它可以制备形状复杂、结构精细的氮化铝陶瓷零件，以满足特殊应用的需要。其次，注塑工艺可以实现连续化、自动化生产，提高生产效率和产品质量。   粉末注射成型ALN陶瓷的特点1.可以制作 复杂的形状2.生产量大3.性能优良4.低成本

氮化铝 是一种重要的无机非金属材料。它不仅具有陶瓷绝缘、低膨胀、高弹性模量等特点，而且还具有与铜、铝相当的高导热率 （导热系数是氧化铝的7~10倍）。是半导体、电真空等高端装备领域的关键材料，特别是在国防武器系统、航空航天、电动轨道交通、新能源汽车、大功率LED照明、通讯基站、输变电设备、工业控制设备等领域都可以使用氮化铝。厦门钜瓷科技的氮化铝粉体具有纯度高、金属杂质含量极低、批次稳定性强的特点。年生产能力1000吨。目前已大量应用在流延电子陶瓷基板上。

氮化铝造粒粉 （ALN造粒粉）是氮化铝粉末 （ALN粉末）喷雾造粒制成的，含有粘结剂和烧结助剂，是高导热陶瓷的原料，可直接压制成型。钜瓷科技的ALN造粒粉流动性好、烧结活性高、纯度高、强度高，可用于制作氮化铝陶瓷加热器/静电吸盘/刻蚀防护罩/热压陶瓷等各种半导体设备零部件。